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  • 零件编号 SIZF928DT-T1-GE3
    产品分类 FET、MOSFET 阵列
    描述 MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR
    封装 卷带式 (TR)
    数量 12564
    价格 $1.5900
    RoHS状态 YES
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商Vishay / Siliconix
    系列TrenchFET® Gen IV
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱8-PowerWDFN
    安装类型Surface Mount
    配置2 N-Channel (Dual)
    工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    技术MOSFET (Metal Oxide)
    功率 - 最大3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
    漏源电压 (Vdss)30V
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs2.45mOhm @ 10A, 10V, 750µOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th)(最大值)@Id2V @ 250µA
    供应商设备包8-PowerPair® (6x5)