规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| 系列 | - |
| 包裹 | 托盘 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 200A (Tj) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 14000pF @ 40V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | APM12-CBA |
| 年级 | Automotive |
| 资质 | AEC-Q100 |