title
  • image of 双极射频晶体管>NE85633-T1B-A
  • image of 双极射频晶体管>NE85633-T1B-A
  • 零件编号 NE85633-T1B-A
    产品分类 双极射频晶体管
    描述 SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
    封装 卷带式 (TR)
    数量 33500
    价格 $1.8000
    RoHS状态 YES
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商CEL (California Eastern Laboratories)
    系列-
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态OBSOLETE
    包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    安装类型Surface Mount
    晶体管类型NPN
    工作温度150°C (TJ)
    获得11.5dB
    功率 - 最大200mW
    集电极电流 (Ic)(最大)100mA
    电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
    直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce50 @ 20mA, 10V
    频率-转变7GHz
    噪声系数(dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
    供应商设备包3-MINIMOLD