规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| 系列 | - |
| 包裹 | 散装 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 200-TFBGA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 内存大小 | 2Gbit |
| 内存类型 | Volatile |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C (TC) |
| 电压 - 电源 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| 时钟频率 | 1.6 GHz |
| 内存格式 | DRAM |
| 供应商设备包 | 200-TFBGA (10x14.5) |
| 年级 | Automotive |
| 写入周期时间 - 字、页 | 18ns |
| 内存接口 | LVSTL |
| 存取时间 | 3.5 ns |
| 记忆组织 | 128M x 16 |
| DigiKey 可编程 | Not Verified |
| 资质 | AEC-Q100 |