title
  • image of 单 FET、MOSFET>EPC7007BC
  • image of 单 FET、MOSFET>EPC7007BC
  • 零件编号 EPC7007BC
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
    封装 散装
    数量 6605
    价格 $316.8000
    RoHS状态 NO
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商EPC Space
    系列e-GaN®
    包裹散装
    产品状态ACTIVE
    包装/箱4-SMD, No Lead
    安装类型Surface Mount
    工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    技术MOSFET (Metal Oxide)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C18A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs28mOhm @ 18A, 5V
    Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 3mA
    供应商设备包4-SMD
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
    Vgs(最大)+6V, -4V
    漏源电压 (Vdss)200 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs5.4 nC @ 5 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds525 pF @ 100 V