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  • 零件编号 BY25Q128ASWIG(R)
    产品分类 记忆
    描述 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
    封装 卷带式 (TR)
    数量 6500
    价格 $0.8300
    RoHS状态 YES
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商BYTe Semiconductor
    系列-
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱8-WDFN Exposed Pad
    安装类型Surface Mount
    内存大小128Mbit
    内存类型Non-Volatile
    工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
    电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
    技术FLASH - NOR (SLC)
    时钟频率108 MHz
    内存格式FLASH
    供应商设备包8-WSON (5x6)
    写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
    内存接口SPI - Quad I/O
    存取时间7 ns
    记忆组织16M x 8