title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSG-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H480G4JSG-TR
  • Номер запчасти TP65H480G4JSG-TR
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
    Упаковка Лента и катушка (TR)
    Количество 9315
    Цены $2.9700
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительTransphorm
    Ряд-
    УпаковкаЛента и катушка (TR)
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейс3-PowerTDFN
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C3.6A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs560mOhm @ 3.4A, 8V
    Рассеиваемая мощность (макс.)13.2W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 500µA
    Пакет устройств поставщика3-PQFN (5x6)
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)8V
    ВГС (Макс)±18V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs9 nC @ 8 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds760 pF @ 400 V