title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4LSG-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4LSG-TR
  • Номер запчасти TP65H300G4LSG-TR
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
    Упаковка Трубка
    Количество 13007
    Цены $3.5900
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительTransphorm
    Ряд-
    УпаковкаТрубка
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейс3-PowerDFN
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C6.5A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs312mOhm @ 5A, 8V
    Рассеиваемая мощность (макс.)21W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.6V @ 500µA
    Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)8V
    ВГС (Макс)±18V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs9.6 nC @ 8 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds760 pF @ 400 V