title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4JSGB-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H300G4JSGB-TR
  • Номер запчасти TP65H300G4JSGB-TR
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание GANFET N-CH 650V 9.2A QFN5X6
    Упаковка Лента и катушка (TR)
    Количество 10442
    Цены $1.5600
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительTransphorm
    РядSuperGaN®
    УпаковкаЛента и катушка (TR)
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейс8-PowerTDFN
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C9.2A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs312mOhm @ 6.5A, 6V
    Рассеиваемая мощность (макс.)41.6W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 500µA
    Пакет устройств поставщика8-PQFN (5x6)
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)6V
    ВГС (Макс)±10V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs3.5 nC @ 10 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds400 pF @ 400 V