title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4LSG-TR
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H070G4LSG-TR
  • Номер запчасти TP65H070G4LSG-TR
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
    Упаковка Лента и катушка (TR)
    Количество 9186
    Цены $5.1100
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительTransphorm
    РядSuperGaN®
    УпаковкаЛента и катушка (TR)
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейс3-PowerTDFN
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C29A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
    Рассеиваемая мощность (макс.)96W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
    Пакет устройств поставщика3-PQFN (8x8)
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
    ВГС (Макс)±20V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8.4 nC @ 10 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds600 pF @ 400 V