title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H035G4QS
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H035G4QS
  • Номер запчасти TP65H035G4QS
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание 650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
    Упаковка Лента и катушка (TR)
    Количество 6500
    Цены $17.6000
    Состояние RoHS YES
    Спецификация
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительTransphorm
    РядSuperGaN®
    УпаковкаЛента и катушка (TR)
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейс8-PowerSFN
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C46.5A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs41mOhm @ 30A, 10V
    Рассеиваемая мощность (макс.)156W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 1mA
    Пакет устройств поставщикаTOLL
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
    ВГС (Макс)±20V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs22 nC @ 10 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1500 pF @ 400 V