Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Tagore Technology |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 30-PowerWFQFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 19A (Tc) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 110pF @ 400V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 3nC @ 6V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 11mA |
| Пакет устройств поставщика | 30-QFN (8x10) |