title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
  • Номер запчасти SIR876BDP-T1-RE3
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
    Упаковка Лента и катушка (TR)
    Количество 13885
    Цены $0.5200
    Состояние RoHS YES
    Спецификация
    PDF(1)
    PDF(2)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительVishay / Siliconix
    РядTrenchFET® Gen IV
    УпаковкаЛента и катушка (TR)
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs10.8mOhm @ 10A, 10V
    Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 71.4W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.4V @ 250µA
    Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
    ВГС (Макс)±20V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs65 nC @ 10 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3040 pF @ 50 V