title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR182LDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR182LDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR182LDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR182LDP-T1-RE3
  • Номер запчасти SIR182LDP-T1-RE3
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
    Упаковка Лента и катушка (TR)
    Количество 10861
    Цены $0.8300
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительVishay / Siliconix
    РядTrenchFET® Gen IV
    УпаковкаЛента и катушка (TR)
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C31.7A (Ta), 130A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 15A, 10V
    Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 83W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.4V @ 250µA
    Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
    ВГС (Макс)±20V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs84 nC @ 10 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3700 pF @ 30 V