title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIHB6N80AE-GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIHB6N80AE-GE3
  • Номер запчасти SIHB6N80AE-GE3
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
    Упаковка Трубка
    Количество 7540
    Цены $1.6000
    Состояние RoHS YES
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительVishay / Siliconix
    РядE
    УпаковкаТрубка
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs950mOhm @ 2A, 10V
    Рассеиваемая мощность (макс.)62.5W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
    Пакет устройств поставщикаTO-263 (D2PAK)
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
    ВГС (Макс)±30V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)800 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs22.5 nC @ 10 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds422 pF @ 100 V