title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
  • Номер запчасти SIDR220EP-T1-RE3
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
    Упаковка Лента и катушка (TR)
    Количество 12488
    Цены $1.5700
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    PDF(2)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительVishay / Siliconix
    РядTrenchFET® Gen IV
    УпаковкаЛента и катушка (TR)
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
    ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C92.8A (Ta), 415A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs0.58mOhm @ 20A, 10V
    Рассеиваемая мощность (макс.)6.25W (Ta), 415W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.1V @ 250µA
    Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8DC
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
    ВГС (Макс)+16V, -12V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)25 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs200 nC @ 10 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds10850 pF @ 10 V