Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | SOT-563, SOT-666 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Мощность - Макс. | 100mW |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50V |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Частота – переход | 200MHz |
| Резистор — база (R1) | 22kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47kOhms |
| Пакет устройств поставщика | ES6 |
| Оценка | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |