Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 200A (Tj) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 14000pF @ 40V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | APM12-CBA |
| Оценка | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q100 |