Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | Module |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | Silicon Carbide (SiC) |
| Мощность - Макс. | 1.1kW (Tj) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 338A (Tj) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 16410pF @ 800V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 200A, 18V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 876nC @ 20V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.4V @ 120mA |
| Пакет устройств поставщика | 36-PIM (56.7x62.8) |