Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Inventchip Technology |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 58A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 20A, 20V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 327W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3.2V @ 6mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 20V |
| ВГС (Макс) | +20V, -5V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 120 nC @ 20 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2770 pF @ 800 V |