Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | International Rectifier |
| Ряд | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MD |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 38A (Ta), 211A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 0.75mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MD |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 2.5V, 4.5V |
| ВГС (Макс) | ±12V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 158 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 8292 pF @ 10 V |