title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPD35N10S3L26ATMA2
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPD35N10S3L26ATMA2
  • Номер запчасти IPD35N10S3L26ATMA2
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание MOSFET_(75V 120V(
    Упаковка Лента и катушка (TR)
    Количество 6500
    Цены $0.6800
    Состояние RoHS YES
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительIR (Infineon Technologies)
    Ряд-
    УпаковкаЛента и катушка (TR)
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
    ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs24mOhm @ 35A, 10V
    Рассеиваемая мощность (макс.)71W (Tc)
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.4V @ 39µA
    Пакет устройств поставщикаPG-TO252-3-11
    ОценкаAutomotive
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
    ВГС (Макс)±20V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs39 nC @ 10 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2700 pF @ 25 V
    КвалификацияAEC-Q101