Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | TrenchFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 12A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 40W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 760 pF @ 25 V |