title
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>FBG30N04CSH
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>FBG30N04CSH
  • Номер запчасти FBG30N04CSH
    Классификация продуктов Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
    Описание GANFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
    Упаковка Масса
    Количество 6550
    Цены $421.3000
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительEPC Space
    РядeGaN®
    УпаковкаМасса
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейс4-SMD, No Lead
    Тип монтажаSurface Mount
    Конфигурация2 N-Channel
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
    Напряжение стока к источнику (Vdss)300V
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4A (Tc)
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds450pF @ 150V
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs404mOhm @ 4A, 5V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.6nC @ 5V
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 600µA
    Пакет устройств поставщика4-SMD