title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG30N04CC
  • Номер запчасти FBG30N04CC
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
    Упаковка Масса
    Количество 6500
    Цены $318.0500
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительEPC Space
    Ряд-
    УпаковкаМасса
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейс4-SMD, No Lead
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs404mOhm @ 4A, 5V
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 600µA
    Пакет устройств поставщика4-SMD
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
    ВГС (Макс)+6V, -4V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)300 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs2.6 nC @ 5 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds450 pF @ 150 V