Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC Space |
| Ряд | e-GaN® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 4-SMD, No Lead |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 18A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 18A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Пакет устройств поставщика | 4-SMD |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 7 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 900 pF @ 100 V |