title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N30BC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N30BC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N30BC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>FBG04N30BC
  • Номер запчасти FBG04N30BC
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
    Упаковка Масса
    Количество 6641
    Цены $287.7600
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительEPC Space
    РядFSMD-B
    УпаковкаМасса
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейс4-SMD, No Lead
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C30A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs9mOhm @ 30A, 5V
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 9mA
    Пакет устройств поставщика4-SMD
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
    ВГС (Макс)+6V, -4V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
    Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs11.4 nC @ 5 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1300 pF @ 20 V