Спецификация
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC Space |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 4-SMD, No Lead |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 70A (Tc) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1700pF @ 50V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 70A, 5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Пакет устройств поставщика | 4-SMD |