title
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC7014UBC
  • Номер запчасти EPC7014UBC
    Классификация продуктов Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
    Описание GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
    Упаковка Масса
    Количество 6582
    Цены $192.3400
    Состояние RoHS NO
    Спецификация
    PDF(1)
    ТИПОПИСАНИЕ
    ПроизводительEPC Space
    Рядe-GaN®
    УпаковкаМасса
    Статус продуктаACTIVE
    Пакет/кейс4-SMD, No Lead
    Тип монтажаSurface Mount
    Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
    ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
    Тип полевого транзистораN-Channel
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C1A (Tc)
    Rds включен (макс.) @ Id, Vgs580mOhm @ 1A, 5V
    Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 140µA
    Пакет устройств поставщика4-SMD
    Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
    ВГС (Макс)+7V, -4V
    Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
    Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds22 pF @ 30 V