Спецификация
PDF(1)
PDF(2)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 1.2mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -5V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.8 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 205 pF @ 50 V |