Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 16.7W (Tc) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 16A (Tc) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1260pF @ 30V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 15A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TDSON-8-4 |
| Оценка | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |