Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Cambridge GaN Devices |
| Ряд | ICeGaN™ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8.5A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
| Особенность полевого транзистора | Current Sensing |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.2V @ 2.75mA |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 9V, 20V |
| ВГС (Макс) | +20V, -1V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V |