Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Central Semiconductor |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 11.5A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 3.9A, 6V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.1W (Ta), 84W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 12.2mA |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 6V |
| ВГС (Макс) | +7V, -1.4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.8 nC @ 6 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 96 pF @ 400 V |