Спецификация
PDF(1)
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-WDFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2.5W (Ta), 23W (Tc) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 13.8A (Ta), 18A (Tc) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 700pF @ 15V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 20A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFN-EP (3x3) |