title
  • image of Diodes simples>WNSC2D03650MBJ
  • image of Diodes simples>WNSC2D03650MBJ
  • Numéro de pièce WNSC2D03650MBJ
    Classification des produits Diodes simples
    Description DIODE SIL CARBIDE 650V 3A SMB
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 15560
    Prix $0.6900
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantWeEn Semiconductors Co., Ltd
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseDO-214AA, SMB
    Type de montageSurface Mount
    VitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
    Temps de récupération inversée (trr)0 ns
    TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky
    Capacité @ Vr, F130pF @ 1V, 1MHz
    Courant - Moyenne redressée (Io)3A
    Package d'appareil du fournisseurSMB
    Température de fonctionnement - Jonction175°C
    Tension - CC inverse (Vr) (Max)650 V
    Tension - Direct (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 3 A
    Courant - Fuite inverse @ Vr20 µA @ 650 V