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  • image of Transistors RF bipolaires>UPA810T-T1-A
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  • Numéro de pièce UPA810T-T1-A
    Classification des produits Transistors RF bipolaires
    Description NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 33500
    Prix $2.0000
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantCEL (California Eastern Laboratories)
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitOBSOLETE
    Colis/Caisse6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Type de montageSurface Mount
    Type de transistor2 NPN (Dual)
    Température de fonctionnement150°C (TJ)
    Gagner9dB
    Puissance - Max200mW
    Courant - Collecteur (Ic) (Max)100mA
    Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)12V
    Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 7mA, 3V
    Fréquence - Transition4.5GHz
    Facteur de bruit (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
    Package d'appareil du fournisseur6-SuperMiniMold