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  • Numéro de pièce UJ3C065080B3
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description MOSFET N-CH 650V 25A TO263
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 12456
    Prix $3.8900
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    PDF(2)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantUnitedSiC (Qorvo)
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C25A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs111mOhm @ 20A, 12V
    Dissipation de puissance (maximum)115W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id6V @ 10mA
    Package d'appareil du fournisseurTO-263 (D2PAK)
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)12V
    Vgs (Max)±25V
    Tension drain-source (Vdss)650 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V