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  • Numéro de pièce UF3SC065030B7S
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 9168
    Prix $10.5800
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    PDF(2)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantUnitedSiC (Qorvo)
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement175°C (TJ)
    TechnologieSiCFET (Cascode SiCJFET)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C62A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 40A, 12V
    Dissipation de puissance (maximum)214W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id6V @ 10mA
    Package d'appareil du fournisseurD2PAK-7
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)12V
    Vgs (Max)±25V
    Tension drain-source (Vdss)650 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 12 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V