Spécifications
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TAPER | DESCRIPTION |
Fabricant | Transphorm |
Série | - |
Emballer | Tube |
État du produit | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
Colis/Caisse | TO-220-3 |
Type de montage | Through Hole |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Type FET | N-Channel |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 17A (Tc) |
Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
Dissipation de puissance (maximum) | 96W (Tc) |
Vgs(e) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Package d'appareil du fournisseur | TO-220AB |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±18V |
Tension drain-source (Vdss) | 600 V |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 480 V |