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  • Numéro de pièce TPH3205WSBQA
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
    Encapsulation Tube
    Quantité 6500
    Prix
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    PDF(2)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantTransphorm
    Série-
    EmballerTube
    État du produitOBSOLETE
    Colis/CaisseTO-247-3
    Type de montageThrough Hole
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C35A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 22A, 8V
    Dissipation de puissance (maximum)125W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id2.6V @ 700µA
    Package d'appareil du fournisseurTO-247-3
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
    Vgs (Max)±18V
    Tension drain-source (Vdss)650 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 8 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 400 V
    QualificationAEC-Q101