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  • Numéro de pièce TP65H050WS
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
    Encapsulation Tube
    Quantité 6817
    Prix $17.6700
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantTransphorm
    Série-
    EmballerTube
    État du produitACTIVE
    Colis/CaisseTO-247-3
    Type de montageThrough Hole
    Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C34A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)119W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id4.8V @ 700µA
    Package d'appareil du fournisseurTO-247-3
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)12V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)650 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 400 V