Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Tagore Technology |
| Série | - |
| Emballer | Plateau |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 30-PowerWFQFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 19A (Tc) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 400V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 6V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 11mA |
| Package d'appareil du fournisseur | 30-QFN (8x10) |