Spécifications
PDF(1)
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Tagore Technology |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 22-PowerVFQFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Type FET | N-Channel |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 19A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2.5V @ 11mA |
| Package d'appareil du fournisseur | 22-QFN (5x7) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 6V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650 V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 6 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 400 V |