title
  • image of Mémoire>TC58BYG0S3HBAI6
  • image of Mémoire>TC58BYG0S3HBAI6
  • Numéro de pièce TC58BYG0S3HBAI6
    Classification des produits Mémoire
    Description IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
    Encapsulation Plateau
    Quantité 6527
    Prix $2.3700
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    PDF(2)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantToshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
    SérieBenand™
    EmballerPlateau
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse67-VFBGA
    Type de montageSurface Mount
    Taille mémoire1Gbit
    Type de mémoireNon-Volatile
    Température de fonctionnement-40°C ~ 85°C (TA)
    Tension - Alimentation1.7V ~ 1.95V
    TechnologieFLASH - NAND (SLC)
    Format de mémoireFLASH
    Package d'appareil du fournisseur67-VFBGA (6.5x8)
    Temps de cycle d'écriture - Word, Page25ns
    Interface mémoireParallel
    Temps d'accès25 ns
    Organisation de la mémoire128M x 8
    DigiKey programmableNot Verified