Spécifications
| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 6-SMD, Flat Leads |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| Température de fonctionnement | 150°C |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Puissance - Max | 1.4W (Ta) |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 6A (Ta) |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 10V |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 30.1mOhm @ 4A, 4.5V |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6nC @ 4.5V |
| Fonctionnalité FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Package d'appareil du fournisseur | 6-TSOP-F |