title
  • image of FET simples, MOSFET>SSM6K818R,LF
  • image of FET simples, MOSFET>SSM6K818R,LF
  • Numéro de pièce SSM6K818R,LF
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description N-CH MOSFET 30V, +/-20V, 15A ,0.
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 12110
    Prix $0.2500
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    Série-
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/Caisse6-SMD, Flat Leads
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement150°C
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C15A (Ta)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 4A, 4.5V
    Dissipation de puissance (maximum)1.5W (Ta)
    Vgs(e) (Max) @ Id2.1V @ 100µA
    Package d'appareil du fournisseur6-TSOP-F
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)30 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 4.5 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1130 pF @ 15 V
    QualificationAEC-Q101