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  • Numéro de pièce SQJQ936EL-T1_GE3
    Classification des produits Matrices FET, MOSFET
    Description MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 6500
    Prix $1.3000
    Statut ROHS NO
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantVishay / Siliconix
    SérieTrenchFET®
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaissePowerPAK® 8 x 8 Dual
    Type de montageSurface Mount
    Configuration2 N-Channel
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Puissance - Max75W (Tc)
    Tension drain-source (Vdss)40V
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C100A (Tc)
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds7300pF @ 25V
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 5A, 10V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 10V
    Vgs(e) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurPowerPAK® 8 x 8 Dual
    GradeAutomotive
    QualificationAEC-Q101