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  • Numéro de pièce SQJQ184E-T1_GE3
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 9539
    Prix $1.6600
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantVishay / Siliconix
    SérieTrenchFET®
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaissePowerPAK® 8 x 8
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C430A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 20A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)600W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurPowerPAK® 8 x 8
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)80 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs272 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds16010 pF @ 25 V
    QualificationAEC-Q101