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  • Numéro de pièce SQJ110EP-T1_GE3
    Classification des produits FET simples, MOSFET
    Description AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
    Encapsulation Bande et bobine (TR)
    Quantité 6500
    Prix $0.7500
    Statut ROHS YES
    Spécifications
    PDF(1)
    TAPERDESCRIPTION
    FabricantVishay / Siliconix
    SérieTrenchFET®
    EmballerBande et bobine (TR)
    État du produitACTIVE
    Colis/CaissePowerPAK® SO-8
    Type de montageSurface Mount
    Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
    TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
    Type FETN-Channel
    Courant - Drain continu (Id) à 25°C170A (Tc)
    Rds activé (Max) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 15A, 10V
    Dissipation de puissance (maximum)500W (Tc)
    Vgs(e) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
    Package d'appareil du fournisseurPowerPAK® SO-8
    GradeAutomotive
    Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)10V
    Vgs (Max)±20V
    Tension drain-source (Vdss)100 V
    Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs113 nC @ 10 V
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6100 pF @ 25 V
    QualificationAEC-Q101