Spécifications
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| TAPER | DESCRIPTION |
| Fabricant | Vishay / Siliconix |
| Série | TrenchFET® Gen IV |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | ACTIVE |
| Colis/Caisse | 8-PowerWDFN |
| Type de montage | Surface Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Puissance - Max | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) |
| Rds activé (Max) @ Id, Vgs | 2.45mOhm @ 10A, 10V, 750µOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(e) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Package d'appareil du fournisseur | 8-PowerPair® (6x5) |